10.13911/j.cnki.1004-3365.220347
适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路
设计了一种适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路,该电路具有低延时、低功耗、高速、高开关频率的特点.电路通过单脉冲产生电路检测开关节点电压,以实现零静态功耗;加入互锁电路以防误触发,消除了由开关节点毛刺导致的上下管直通的现象.电路基于SMIC 0.18μmBCD工艺设计,仿真结果表明,死区时间可随负载变化而自适应调整,且当最坏情况开关节点电压的dv/dt=48 V/ns时,电路高低侧死区时间误差仅为1.59 ns和2.69 ns.
GaN、自适应死区时间控制、低功耗、互锁电路
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
浙江省自然科学基金资助项目;宁波市自然科学基金资助项目;国家自然科学基金;宁波大学王宽诚幸福基金
2023-02-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
764-771
