10.13911/j.cnki.1004-3365.220328
一种高噪声抗扰度电容式电平位移电路
设计了一种适用于GaN半桥栅驱动的高噪声抗扰度的电容式电平位移电路.在浮动电源轨发生dV/dt切换和减幅振荡时,采用去耦开关完全消除了影响输出状态的共模噪声,采用动态开关减小了电路失配引起的差模噪声.利用电容耦合技术实现了高负压容忍度、亚纳秒级延时和低功耗.采用0.18 μm高压BCD工艺进行电路设计.仿真结果表明,在50 V电平转换下,该电平位移电路的共模瞬态抗扰度达到200 V/ns,200 V/ns转换速率下的失配容忍度达到30％,负压容忍度达到-5 V,平均传输延时为0.56 ns.
GaN半桥栅驱动、电容式电平位移电路、高噪声抗扰度、高负压容忍度
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TN86;TN433(无线电设备、电信设备)
国家自然科学基金61974019
2023-02-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
740-745
