10.13911/j.cnki.1004-3365.220327
一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路
设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路.电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度.在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻辑错误.针对此问题,采用一种高速、低功耗的交叉控制式噪声屏蔽电路,实现了极高的共模瞬态抗扰度.采用0.35μm高压CMOS工艺进行电路设计.仿真结果表明,在100 V电平转换情况下,该电平位移电路的平均传输延时为1.58 ns,延时失配小于100 ps,共模瞬态抗扰度达到200 V/ns.
GaN栅驱动、电平位移电路、高速、高共模瞬态抗扰度
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TN86;TN432(无线电设备、电信设备)
国家自然科学基金61974019
2023-02-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
734-739
