10.13911/j.cnki.1004-3365.220211
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究.分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应.结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷QBOX和QFOX.QFOX增加了漏极附近横向电场,降低了埋氧层电场,使击穿位置由体内转到表面,导致击穿电压退化.QBOX降低了埋氧层电场,降低了埋氧层压降,导致击穿电压退化.
总剂量辐射、SOI pLDMOS、击穿电压、辐射陷阱电荷
52
TN386.1(半导体技术)
国家自然科学基金62004034
2022-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
706-710
