10.13911/j.cnki.1004-3365.210467
热电式MEMS微波功率传感器的封装研究
为了研究热电式MEMS微波功率传感器封装后的性能,提出了一种COB技术的封装方案.首先,采用有限元仿真软件HFSS仿真封装前后的微波特性;然后,基于GaAs MMIC技术对热电式MEMS微波功率传感器进行制备,并对制备好的芯片进行封装.最后,对封装前后传感器的微波特性及输出特性进行测试.实验结果表明,在8～12 GHz频率范围内,封装后回波损耗小于-10.50 dB,封装前的灵敏度为0.16 mV/mW@10 GHz,封装后的灵敏度为0.18 mV/mW@10 GHz.封装后的热电式微波功率传感器输出电压与输入功率仍有良好的线性度.该项研究对热电式MEMS微波功率传感器封装的研究具有一定的参考价值和指导意义.
热电式、微波功率传感器、封装、MEMS、COB
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TN389(半导体技术)
国家自然科学基金;江苏省自然科学青年基金资助项目;中国博士后科学基金资助项目;南京邮电大学自然科学基金资助项目
2022-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
635-639
