10.13911/j.cnki.1004-3365.210400
面向三维集成应用的Cu/SiO2晶圆级混合键合技术研究进展
Cu/SiO2混合键合技术被认为是实现芯片三维集成和高密度电学互连的理想方案,但由于其需兼顾介质和金属两种材料的键合,目前鲜有自主开发且工艺简单、成本低廉的混合键合方案的报道.文章归纳了现有的晶圆级键合技术,包括直接键合、活化键合以及金属固液互扩散键合,分析了其应用于混合键合技术的可能性.进一步总结了近年来部分Cu/SiO2混合键合技术的研究进展,从原理上剖析该工艺得以实现的关键,为国内半导体行业占领此高端领域提供一定的参考.
先进封装技术、三维集成、晶圆级工艺、混合键合
52
TN47;TN405(微电子学、集成电路（IC）)
中国博士后科学基金面上资助项目2021M701232
2022-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共12页
623-634
