10.13911/j.cnki.1004-3365.210473
一种高输入电压高PSRR的带隙基准电路设计
在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源.传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源,为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR.电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性能.文章提出了一种输入电压范围为5～65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路,适用于宽输入电压芯片,如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片.该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的VGS确定.因此低压电源不随输入电压变化,线性调整率极低.该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成,采用负反馈稳压设计,不使用齐纳二极管,不引入额外的掩膜层,降低了电路成本.在CSMC 0.25μm BCD工艺下,基准电压线性调整率低至0.000 091％,输入电压在5～65 V范围内基准变化小于1 μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10-5/℃.
高压输入、高PSRR、带隙基准、负反馈、模拟集成电路
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金61731016
2022-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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