10.13911/j.cnki.1004-3365.210388
一种抗总剂量辐射带隙基准电压源
设计了一种标准CMOS工艺下抗总剂量辐射(TID)的带隙基准电压源.分析了传统结构在辐射环境下的固有缺陷.利用二极管正向导通电压受电流影响较小的特性,提高了带隙基准电压源的抗总剂量辐射能力.该基准电压源包含启动电路、基准核和自偏置电路.将基准电压源用于12位100 kS/s采样率A/D转换器的一个单元,进行了流片和测试.结果表明,经总剂量辐射试验后,该基准电压源的输出电压变化较小.在-55℃～125℃范围内,辐射前的温度系数为1.53×10-5/℃,辐射后的温度系数为1.71×10-5/℃.
带隙基准源、抗总剂量辐射、二极管、自偏置
52
TN792(基本电子电路)
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目6142802011503
2022-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
562-565
