10.13911/j.cnki.1004-3365.210313
槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究
利用TCAD Sentaurus模拟仿真软件,研究分析了三种不同结构的槽栅型1 200 V SiC MOSFET单粒子响应特性,器件包括传统单沟槽 MOSFET、双沟槽 MOSFET和非对称沟槽MOSFET结构.仿真结果表明,双沟槽MOSFET的抗单粒子特性优于其它两种结构器件.通过分析可知,双沟槽MOSFET结构的优越性在于有较深的源极深槽结构,有助于快速收集单粒子碰撞过程产生的载流子,从而缓解大量载流子聚集带来的内部电热集中,相比其它两种结构能有效抑制引起单粒子烧毁的反馈机制.
碳化硅场效应晶体管、单粒子效应、槽栅型结构、电热反馈
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TN386(半导体技术)
国家重点研发计划2016YFB0400404
2022-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
466-472
