10.13911/j.cnki.1004-3365.210326
一种瞬态增强的无片外电容LDO设计
针对无片外电容型低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,基于40 nm CMOS 工艺设计了一种带瞬态负载变化感知的无片外电容型LDO电路.采用有源前馈频率补偿,实现了电路稳定;瞬变检测电路感应负载的变化,为功率管栅极提供充、放电通路,减弱了输出电压波动.仿真结果表明,负载电流在0～100 mA范围内,该LDO的输出过冲电压和下冲电压分别为100 mV和140 mV,稳定时间在1μs以内.全负载电流范围内,瞬态性能大幅提升.
无片外电容、LDO、快速瞬态响应
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TN432;TN86(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国科学院战略性重点研究计划项目;上海市科学技术委员会计划项目;上海市科学技术委员会计划项目;上海航行计划项目
2022-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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383-387
