10.13911/j.cnki.1004-3365.220041
一种5～6GHz宽带全集成CMOS低噪声放大器
采用55 nm标准CMOS工艺,设计并流片实现了一种应用于Wi-Fi 6(5 GHz)频段的宽带全集成CMOS低噪声放大器(LNA)芯片,包括源极退化共源共栅放大器、负载Balun及增益切换单元.在该设计中,所有电感均为片上实现;采用Balun负载,实现信号的单端转差分输出;具备高低增益模式,以满足输入信号动态范围要求.测试结果表明,在高增益模式下该放大器的最大电压增益为20.2 dB,最小噪声系数为2.2 dB;在低增益模式下该放大器的最大电压增益为15 dB,最大输入1 dB压缩点为-3.2 dBm.芯片核心面积为0.28 mm2,静态功耗为10.2 mW.
低噪声放大器、巴伦、高低增益模式、Wi-Fi 6
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TN722.3;TN432(基本电子电路)
中国-北马其顿科技合作委员会第六届例会交流项目6-6
2022-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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