10.13911/j.cnki.1004-3365.210234
Flash存储器浮栅单元的总剂量效应统计性分析
针对核设施机电设备中控制系统存储单元耐辐射可靠性评价的需要,以国产NOR型Flash存储器为研究对象,对器件存储阵列浮栅单元的总剂量损伤阈值开展了实验研究.综合利用SMOTE算法和Bootstrap法建立了一种基于极小子样的器件耐辐照可靠性评价方法,对被测样品校验失效剂量进行了统计分析.实验结果表明,器件浮栅单元的主要失效模式为浮栅电荷损失造成的阈值电压降低,平均校验错误剂量为(631.89±103.64)Gy(Si).统计分析表明,器件总剂量损伤阈值服从对数正态分布.基于SMOTE-Bootstrap的可靠性评价方法避免了传统Bootstrap再生样本过于集中的问题,可应用于极小子样的可靠性评价.
总剂量效应;Flash存储器;可靠性分析;极小子样
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TN406(微电子学、集成电路（IC）)
中核集团青年英才计划资助项目;国防科工抗辐照中心创新基金资助项目
2022-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
150-156
