10.13911/j.cnki.1004-3365.210112
源端射频干扰下SRAM的抗扰性分析
目前已有一些在ESD和电磁干扰下存储器行为的表征研究,但对静态随机存取存储器(SRAM)的连续波抗扰度的频率响应特性的研究很少.文章研究了 SRAM在射频电磁干扰下的失效行为与机理.对SRAM芯片进行射频干扰测试发现,SRAM失效行为与其工作模式相关.使用Hspice进行晶体管级仿真.结果表明,SRAM处于数据保持时,抗扰能力很强,处于读写模式时,抗扰能力较弱.进一步研究失效机理发现,电源端干扰会导致路径延时的漂移和抖动,造成SRAM读写失效.该研究可为存储器或系统级芯片的可靠性设计提供指导.
静态随机存取存储器;电磁干扰;失效机理
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TN432;TN406(微电子学、集成电路（IC）)
广东省自然科学基金面上项目2021A1515011922
2022-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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