10.13911/j.cnki.1004-3365.210312
一种防闩锁的多嵌入阱SCR ESD器件
针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾,设计了 一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构.相比于常规SCR结构,首先,通过移动阳极/阴极的N+/P+掺杂区引入辅助泄放器件,MEWSCR结构实现了二次触发,增加了维持电压;其次,通过在阳极P+区和阴极N+区下方分别嵌入N浅阱和P浅阱,增强非平衡载流子的SRH复合作用,降低SCR的再生反馈效应,提高了维持电流.基于0.18 μm BCD工艺,采用TCAD软件进行模拟.结果表明,新型MEWSCR器件的维持电压提升至23 V,维持电流提升1 A以上,满足ESD设计窗口要求.
静电放电、硅控整流器、维持电压、闩锁
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TN34(半导体技术)
国家电网有限公司总部科技项目5100-201941436A-0-0-00
2022-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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