10.13911/j.cnki.1004-3365.210227
一种高维持电压的LVTSCR
对于工作电压为5 V的集成电路,低压触发可控硅(LVTSCR)的触发电压已能满足ESD保护要求,但其较低的维持电压会导致严重的闩锁效应.为解决闩锁问题,对传统LVTSCR进行了改进,通过在N阱下方增加一个N型重掺杂埋层,使器件触发后的电流流通路径发生改变,降低了衬底内积累的空穴数量,从而抑制了 LVTSCR的电导调制效应,增加了维持电压.Sentaurus TCAD仿真结果表明,在不增加额外面积的条件下,改进的LVTSCR将维持电压从2.44 V提高到5.57 V,能够避免5 V工作电压集成电路闩锁效应的发生.
低压触发可控硅、静电放电、高维持电压、埋层
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TN342(半导体技术)
四川省科技厅资助项目;四川省科技厅资助项目;四川省科技厅资助项目
2022-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
87-90,97
