10.13911/j.cnki.1004-3365.210266
多晶硅电阻线性度补偿方法研究
介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响,分析了多晶硅电阻非线性产生的原因.提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种非线性补偿设计方法.采用仿真和测试,对比了未经补偿、新补偿方法的12位D/A转换器的性能.结果表明,经过多晶硅电阻补偿和非线性补偿后的D/A转换器达到了更优的线性度.
多晶硅电阻;非线性补偿;自热效应;D/A转换器
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TN792(基本电子电路)
2022-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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