10.13911/j.cnki.1004-3365.210213
DPSA双极器件中的1/f噪声特性研究
在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一.研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射板结构对器件直流和低频噪声性能的影响.实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构是影响多晶硅发射极双极器件噪声性能的主要因素.
1/f噪声;双极器件;界面氧化层
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TN431;TN406(微电子学、集成电路（IC）)
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目9140A11050315DZ34052
2022-03-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
929-932
