10.13911/j.cnki.1004-3365.210120
In0.4Ga0.6N/GaN异质结IMPATT二极管性能仿真研究
提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管.传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案.详细研究了In0.4Ga0.6N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPATT二极管的直流、交流输出特性.结果 表明,In0.4Ga0.6N/GaN IMPATT二极管在不使用P型GaN的情况下,可达到优于传统PN结IMPATT二极管的性能.
效率;同型异质结;铟镓氮;IMPATT二极管
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TN312+.7(半导体技术)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金
2022-03-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
923-928
