10.13911/j.cnki.1004-3365.210016
JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性研究
研究了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性.首先,理论模拟了JTE终端横向长度、离子注入剂量和界面电荷对击穿电压的影响.对工艺条件进行优化,制作了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管.测试结果表明,器件的正向电压为1.52V,特征导通电阻为2.12 mΩ·cm2,击穿电压为1650 V.接着,研究器件的变温电流-电压特性发现,正向电流主要为热发射机制,而反向电流与电压、温度有很强的依赖关系.最后进行了高温反偏应力老化测试,结果表明,击穿电压呈下降趋势.
SiC结势垒肖特基二极管;JTE终端结构;击穿电压;高温反偏
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TN386(半导体技术)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目JUSRP51510
2022-03-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
918-922
