10.13911/j.cnki.1004-3365.200594
一种基于π型氮化钽薄膜电阻的MEMS衰减器
针对传统衰减器体积大、反应时间长、可靠性差等问题,提出了一种基于氮化钽薄膜电阻的MEMS衰减器.根据π型衰减网路理论计算得到各个电阻的阻值,并计算各个电阻的仿真尺寸.利用HFSS 15.0电磁波仿真软件对衰减器结构进行仿真计算并优化.通过修改磁控溅射参数制备稳定的氮化钽薄膜电阻,在此基础上制作MEMS衰减器.采用矢量网络分析仪和探针台进行衰减器射频性能测试.测试结果表明,在0.1～20 GHz频率范围内,衰减器的回波损耗大于12.4 dB,插入损耗小于2.1 dB,衰减精度小于5 dB.衰减器整体尺寸为2.2 mm×1.2 mm×1 mm.
氮化钽薄膜;电阻衰减网络;衰减器;MEMS
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TN715(基本电子电路)
新品项目2016NW0014
2021-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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