10.13911/j.cnki.1004-3365.210080
带软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路
基于0.4μm标准BCD工艺,设计了一种带有软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路(DESAT).采用Cadence软件设计并搭建电路,在Hspice软件中进行仿真调试.结果 表明,在开始一段时间,欠压锁定电路(UVLO)输出低电平,强制使器件处于关断状态;当UVLO输出高电平之后,DESAT被激活并开始检测集电极电压,一旦检测到集电极电压超过预设6.5V阈值电压,便对器件执行软关断动作,软关断的持续时间为10 μs.该检测电路实现了UVLO和DESAT对IGBT的协同保护.
去饱和过流保护;欠压锁定;绝缘栅双极型晶体管;软关断
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;四川省重点项目;四川省重点项目;四川省重点项目;四川省重点项目
2021-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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632-635
