10.13911/j.cnki.1004-3365.200520
对称矩形环栅NMOS器件的建模与验证
介绍了一种对称矩形环栅NMOS器件结构,并对其等效宽长比的计算模型和总剂量效应加固性能进行了研究.通过区域划分、保角变换等方法,对该对称矩形环栅NMOS器件进行建模,给出了其等效宽长比的计算模型.在0.18 μm BCD工艺下进行流片,并对不同尺寸下直栅MOS器件和环栅MOS器件进行辐照对比测试.测试结果表明,对称矩形环栅NMOS器件的等效宽长比计算模型的计算误差可低至5％.辐照总剂量10 kGy条件下,对称矩形环栅NMOS器件的关态泄漏电流仍可维持在一个很低的量级,表现出良好的总剂量效应加固性能.
总剂量效应加固;对称矩形环栅;等效宽长比计算模型
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TN386(半导体技术)
预研项目1126190601A
2021-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
598-602
