10.13911/j.cnki.1004-3365.200530
3 nm环栅场效应管射频小信号等效电路模型
针对3 nm环栅场效应晶体管,提出了一种射频小信号等效电路模型及基于有理函数拟合的解析模型参数提取方法.首先,在关态条件下提取不受偏置影响的非本征栅/源/漏极电阻、栅到源/漏电容、衬底电容和电阻.然后,在不同偏置条件下提取受偏置影响的本征模型参数.使用Sentaurus TCAD和Matlab对器件进行仿真并拟合得到相关参数,在ADS中验证等效电路模型.结果表明,在10 MHz～300 GHz频率范围内,TCAD仿真与等效电路仿真S参数的最大误差低于2.69％,证实了所建立模型及建模方法的准确性.该项研究成果对射频集成电路设计具有参考价值.
环栅器件;小信号等效电路;参数提取;射频IC
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TN386.2(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目;上海市自然科学基金资助项目;上海自然科学创新研究计划资助项目
2021-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
557-562
