10.13911/j.cnki.1004-3365.200428
基于0.13 μm SiGe BJT工艺的25 GHz超宽带采样/保持电路
提出了一种基于0.13μm SiGe BJT工艺的超宽带采样/保持电路.采用辅助开关电路,优先对信号进行提前处理,提高了电路的线性度.采用全差分开环结构和多级级联输出缓冲器,有效减少了下垂率.在5 V电源电压和100 fF负载电容下,采用Cadence Spectre进行仿真分析.结果表明,在相干采样下,时钟频率为4 GHz;在高频18 GHz下,无杂散动态范围(SFDR)达63.99 dB,高频特性好.该电路的带宽达到25.1 GHz,适用于高速A/D转换器.
采样/保持电路;宽带;辅助开关;SiGe BJT 工艺
51
TN79+2;TN431(基本电子电路)
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目6142802180101
2021-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
461-465
