10.13911/j.cnki.1004-3365.200395
总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究
对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究.研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;任一几何尺寸8型栅NMOS饱和漏极电流在不同辐射总剂量下相比直栅有着良好的稳定性.同时,小宽长比8型栅饱和漏极电流的差异来源于栅源重叠宽度的不同,大宽长比8型栅饱和漏极电流的大小不再受到栅源重叠宽度的影响;180 nm工艺下不同几何尺寸8型的栅阈值电压在测试中都稳定在0.41 V,显著优于直栅.
8型栅NMOS、辐射总剂量、几何尺寸、关态漏电流、饱和漏极电流、阈值电压
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
预研资助项目1126190601A
2021-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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