10.13911/j.cnki.1004-3365.200312
一种P-GaN栅极结合槽栅技术的增强型HEMT
为了得到高击穿电压、高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(P-GaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构.该器件的阈值电压高达3.4 V,击穿电压达738 V.利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比了传统P-GaN栅与P-GaN栅结合槽栅的AlGaN/GaN/AlGaN双异质器件的阈值电压和耐压.结果表明,栅槽深度在5～13 nm范围内变化时,阈值电压随栅槽深度的增大而增大,击穿电压随栅槽深度的增大呈先增大后略减小;导通电阻随槽栅深度的增大而增大,最小导通电阻为11.3 Ω·mm.
P-GaN栅极、双异质结、槽栅、阈值电压、击穿电压
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TN386(半导体技术)
国家自然科学基金重点项目;四川省重大科技专项项目
2021-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
404-408
