10.13911/j.cnki.1004-3365.200584
先进MOSFET中1/f噪声研究进展
全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展.界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声.随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOSFET的1/f噪声起源问题一直是学术界具有较大分歧和争议的课题.只有澄清了1/f噪声的真正物理起源,才能有效通过工艺加以改善,支撑设计应用.
1/f噪声、MOSFET、高k介质、热载流子、辐照损伤
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TN386(半导体技术)
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目KFZC2020020702
2021-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
390-398
