10.13911/j.cnki.1004-3365.200477
SiC MOS器件界面钝化研究进展
从氧化后退火处理、氮化处理、碳帽、钡夹层、淀积氧化物后退火处理五个方面介绍了碳化硅钝化工艺.通过改进钝化工艺可以有效降低界面态密度.针对这几种钝化工艺对SiC/SiO2界面态密度的影响进行讨论,分析几种钝化工艺的优劣,并重点介绍了氧化后退火处理和氮化处理两种钝化方法.研究发现,NO氮化工艺能有效降低界面态密度,提高界面可靠性.该工艺适用于SiC MOS器件的制造.
碳化硅、钝化、界面态密度
51
TN386(半导体技术)
中国科学院微电子研究所所长基金;北京市自然科学基金面上项目
2021-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
382-389