10.13911/j.cnki.1004-3365.200519
射频电路ESD防护优化设计
在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,设计了三种射频端口的ESD防护电路.在不影响ESD防护能力的前提下,通过串联多级二极管,可以显著提高射频电路的线性度.通过在二极管通路中串联LC谐振网络和大电感,在显著降低射频端口 ESD防护电路插入损耗的同时还提高了射频电路的线性度.仿真结果表明,两级串联二极管结构可以将输入1 dB压缩点提高至18.9 dBm.在16 GHz频点,串联LC谐振网络设计和串联大电感设计分别可以将插入损耗减小0.5 dB和0.9 dB.
射频电路、SiGe BiCMOS、ESD防护、插入损耗
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TN433;TN406(微电子学、集成电路(IC))
重庆市技术创新与应用发展专项项目CSTC2020JSCX-GKSBX0012
2021-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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