10.13911/j.cnki.1004-3365.200499
基于薄膜HIC金铝键合失效的工艺研究
介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺.分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现象.通过改变键合区金属层结构,实现了单一金属化系统,有效避免了金属间化合物的形成.该项研究结果对陶瓷基薄膜HIC的工艺应用范围的拓宽具有参考价值.
薄膜混合集成电路、金铝键合、层结构
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TN44;TN405.96(微电子学、集成电路（IC）)
2021-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
347-350
