10.13911/j.cnki.1004-3365.200346
一种7～13GHz低插损6位数字衰减器
设计了一种基于0.25 μm GaAs p-HEMT工艺的低插损6位数字衰减器.采用Pi型衰减结构与T型衰减结构级联的方式,实现低插入损耗和高衰减精度.采用相移补偿电路减小附加相移,采用幅度补偿电路提高衰减精度.仿真结果表明,在7～13 GHz范围内,该数字衰减器的RMS幅度误差小于0.5 dB,插入损耗小于5.6 dB,10 GHz时1 dB压缩点的输入功率约为29 dBm,附加相移为-7°～+6.5°,输入输出回波损耗小于-11 dB.芯片尺寸为2.50 mm×0.63 mm.
数字衰减器、低插入损耗、级联结构、补偿电路
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TN715(基本电子电路)
2021-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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