10.13911/j.cnki.1004-3365.200330
一种基于0.13μm SiGe工艺的77GHz功率放大器
提出了一种采用0.13 μm SiGe工艺制作的77 GHz功率放大器.该放大器采用两路合成结构提高输出功率,采用两级差分放大结构提高增益.功率级选择Cascode结构,提升功率级输出阻抗,便于匹配.驱动级选择共射极加中和电容的结构,便于提升增益.在输入端,通过两路耦合线巴伦结构进行功率分配,得到两对差分信号,经过两路放大之后再通过两路耦合线巴伦结构进行功率合成,最后输出信号,级间匹配采用变压器匹配.该功率放大器采用ADS软件仿真.结果表明,在77 GHz的工作频点处,小信号增益为19.6 dB,峰值功率附加效率为11％,饱和输出功率为 18.5 dBm.
耦合线、功率合成、SiGe、功率放大器
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TN722.7+5(基本电子电路)
国家自然科学基金面上项目61774035
2021-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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