10.13911/j.cnki.1004-3365.200308
新型GaAs HEMT器件寄生电容的优化提取方法
针对优化提取参数的复杂度问题,提出了一种新的GaAs HEMT器件寄生电容的优化提取方法.提取寄生电容时,设置合适的优化范围,进行优化提参.采用三次参数优化,确保优化精度和模型准确性,避免了循环优化,提高了参数提取效率和参数优化效率.该方法不依赖器件的具体结构,减少了对器件结构假设所带来的误差.对17元件小信号等效电路模型参数进行提取,验证了该方法的可靠性.结果表明,S参数与实测S 参数的拟合度较好,拟合的最高频率可达30 GHz.
GaAs HEMT、寄生电容、优化方法、参数提取
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TN386(半导体技术)
2021-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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