10.13911/j.cnki.1004-3365.200385
2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究
硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要.以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结构的寄生电容进行了分析.研究结果表明,研制的2.5D硅转接板中10 μm×80 μm TSV的单孔电阻为26 mΩ,1.7 μm厚度的Cu-RDL的方块电阻为9.4 mΩ/□,测试结果与理论计算值相吻合.本研究工作为2.5D/3D集成工艺的研发和建模提供了基础技术支撑.
2.5D硅转接板、铜再布线、硅通孔、电阻测试、3D集成电路
51
TN407(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点实验室基金6142802190502
2021-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
270-275
