10.13911/j.cnki.1004-3365.200424
一种低插损高隔离度毫米波SPDT开关
基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作于28 GHz的对称型单刀双掷(SPDT)开关.采用串并联拓扑结构实现高隔离度,通过MOS管与电感器构成的开关电感进行LC阻抗匹配,从而实现了低插入损耗和较小芯片面积.开关管采用悬浮衬底设计,减小了插入损耗,提高了线性度.仿真结果表明,该SPDT开关在工作频率下,插入损耗小于1.7 dB,隔离度大于30 dB,输入输出回波损耗小于-20 dB,输入1 dB压缩点为12 dBm.芯片尺寸为240 μm×180 μm.
SPDT开关、开关电感、浮体、CMOS工艺
51
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点实验室基金6142802011503
2021-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
216-220
