10.13911/j.cnki.1004-3365.200287
一种低功耗低延迟的容忍DNU锁存器设计
随着集成电路器件特征尺寸的进一步减小,锁存器内部节点之间的距离越来越短.由于内部节点间的电荷共享效应,器件在空间辐射环境中频繁发生单粒子翻转(SEU),受影响节点由单节点扩展到双节点.文章提出了一种新型的锁存器加固结构,利用C单元固有的保持属性,实现对单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)的完全容忍.HSPICE仿真结果表明,相比于其他同类型的加固设计,所提出的锁存器功耗平均下降了 34.86％,延迟平均下降了 59％,功耗延迟积平均下降了 67.91％.PVT分析表明,该锁存器结构对电压、温度、制造工艺的变化不敏感.
单粒子翻转、低功耗、低延迟、双节点翻转
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TN432;TN406(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金61904047
2021-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
203-210
