10.13911/j.cnki.1004-3365.200289
一种高性能的亚阈值CMOS电压基准
基于0.18 μm CMOS工艺设计了 一种高性能的亚阈值CMOS电压基准.提出了一个电压减法电路,将两个具有不同阈值电压且工作在亚阈值区晶体管的栅源电压差作为电压基准输出.所提出的电压减法电路还可以很好地消除电源电压变化对输出基准的影响.后仿仿真结果表明,所设计的电压基准在0.55～1.8 V电源电压范围内,线性灵敏度为0.053％/V～0.121％/V;在-20℃～80℃范围内,温度系数为9.5×10-6/℃～3.49×10-5/℃;在tt工艺角、0.55 V电源电压下,电源抑制比为-65 dB@100 Hz,功耗为3.7 nW.芯片面积为0.008 2 mm2.该电路适用于能量采集、无线传感器等低功耗应用.
CMOS电压基准;电压减法电路;亚阈值区;低功耗应用
51
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
预研基金资助项目1126190601A
2021-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
163-167
