10.13911/j.cnki.1004-3365.200196
一种新型低功耗加固SRAM存储单元
提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元.采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗,利用单粒子翻转特性来减少敏感节点,获得了良好的可靠性和低功耗.Hspice仿真结果表明,该加固SRAM存储单元能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转比例为33.33％.与其他10种存储单元相比,该存储单元的面积开销平均增加了 3.90％,功耗、读时间和写时间分别平均减小了34.54％、6.99％、26.32％.电路静态噪声容限大且稳定性好.
抗辐射加固设计、存储单元、单粒子翻转、软错误、低功耗
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家重点实验室基金
2021-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
157-162
