10.13911/j.cnki.1004-3365.2000522
深亚微米CMOS管总剂量辐照特性的对比研究
对深亚微米NMOS和PMOS管进行了60Co γ总剂量辐射实验.实验结果表明,PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强.对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行了理论分析.分析结果表明,不同的衬底类型导致了PMOS管和NMOS管的辐照效应的差异.基于实验与分析结果,提出了一些深亚微米模拟IC的抗辐照设计方案.
辐照损伤、总剂量、噪声、匹配特性、抗辐射设计
51
TN386.1(半导体技术)
2021-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
121-125
