10.13911/j.cnki.1004-3365.200322
强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究
采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构.对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试.测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善.对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电流IDT是一种复合电流,随着栅源电压超过阈值VGS0,它会呈现IDT-VGs微分负阻现象.从MOS-Bipolar复合模式下的碰撞电离和Snapback效应两方面对IDT-VGS微分负阻现象进行了理论分析.研究结果可用于优化CMOS/BiCMOS IC的ESD设计.
微分负阻、碰撞电离、MOS-Bipolar复合模式、静电释放
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TN386(半导体技术)
重庆市科委项目scc2019jscx-fxyd0178
2021-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
112-115,120
