10.13911/j.cnki.1004-3365.200043
新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求.文章提出了一种具有基区变掺杂的新型宽禁带材料漂移阶跃恢复二极管,将传统的基区掺杂变为阶梯式的浓度分布,基区内形成由浓度差导致的内建电场,该内建电场在DSRD放电回路反向泵浦阶段调节载流子分布,并加速载流子抽取.利用Sentaurus TCAD进行了器件电路联合仿真.结果 表明,在具有相同峰值的电压情况下,新结构器件的正向注入结束时空穴最大速度较传统结构提升了29％,电压上升率为19.7 kV/ns,较传统结构(15.8 kV/ns)提升了25％.新结构使反向泵浦阶段的时间降低,输出的电压脉冲前沿的上升率更大,且工艺流程只需调节外延时的气体剂量,工艺上可实现.
漂移阶跃恢复二极管、泵浦电路、碳化硅、内建电场、变掺杂
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TN313+.7(半导体技术)
四川省青年科技基金资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
2021-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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