10.13911/j.cnki.1004-3365.200049
一种GaN半桥驱动器电平移位电路设计
GaN半桥输出点电压在死区时间为负值,给GaN功率器件栅极驱动电路信号通信带来了挑战.通过研究驱动器电平移位锁存电路工作状态与半桥功率级输出节点电压跳变、死区时间负压之间的相互影响,设计了一种新型的零静态功耗电平移位电路及其误触发消除电路.电路采用100 V BCD 0.18μm工艺设计,在输入电压100V、开关频率5 MHz的GaN半桥变换器中对版图进行了后仿真.仿真结果表明,当半桥功率级输出节点分别为-3V和100 V时,延时为4.5 ns和1.5 ns.
GaN驱动、电平移位电路、开关电源、DC-DC降压变换器
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金;国家自然科学基金
2021-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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