10.13911/j.cnki.1004-3365.200261
基于65 nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源.首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反.再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和,最终得到具有2阶温度补偿效果的基准输出电压.仿真结果表明,电路可工作在1.1V到1.5V电压范围内;在-55℃～160℃范围内,电压基准的温度系数可达5.9×10-6/℃;在1.2V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为10μW和273.5 mV.
65 nm CMOS工艺、亚阈区、电流镜技术、2阶温度补偿
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目6142802011503
2021-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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