10.13911/j.cnki.1004-3365.200251
基于退化数据的厚膜电阻可靠性评估
设计了厚膜电阻的高温贮存试验,以评估厚膜电阻的可靠性.基于阻值的退化数据,采用线性退化模型描述厚膜电阻的退化过程,结果表明,厚膜电阻伪寿命分布满足对数正态分布规律.结合Arrhenius模型推算得出,厚膜电阻在室温下的寿命约为17.8年.分析了厚膜电阻的失效机理,完成了厚膜电阻在温度应力下的可靠性评估.
厚膜电阻、性能退化、可靠性评估
50
TN452;TN406(微电子学、集成电路（IC）)
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目614280204030217
2021-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
926-931
