10.13911/j.cnki.1004-3365.190716
SU-8光刻胶去胶工艺研究
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域.现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题.文章研究了一种基于O2/CF4等离子刻蚀配合湿法刻蚀的去除方法,实现了SU-8光刻胶在硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属等材料上的有效去除.
SU-8光刻胶、O2/CF4、等离子刻蚀、去胶
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TN305.7(半导体技术)
科技部重点专项2016YFB0200205
2021-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
910-913
