10.13911/j.cnki.1004-3365.190710
MEMS开关中聚合物牺牲层去除方法研究
制作了一种以聚酰亚胺作为牺牲层的低下拉电压开关,聚酰亚胺牺牲层采用反应离子刻蚀(RIE)工艺进行刻蚀.研究了刻蚀功率对刻蚀时间的影响,检验了不同刻蚀功率与刻蚀时间组合条件下开关梁的结构完整性,优化了该RIE工艺.实验结果表明,聚酰亚胺牺牲层的去除效果较好,其侧向刻蚀率为1.3 μm/min.最终获得了具有2 μm以下间隙、结构完整的MEMS开关梁.
MEMS开关、聚酰亚胺、反应离子刻蚀、牺牲层释放
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目;四川省科技计划项目
2021-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
890-893
