10.13911/j.cnki.1004-3365.190730
一种基于Cascode GaN E-HEMT的单相逆变电路
首先测试了Cascode结构的氮化镓增强型高电子迁移率晶体管(GaN E-HEMT)的输出、转移特性曲线,分析了导通电阻、输入电容等影响开关特性的电参数.接着分析了单相逆变电路结构,研究表明,采用GaN E-HEMT可极大地减小单相逆变电路的输出滤波电容、电感的体积.最后,比较分析了影响Cascode GaN E-HEMT和Si基MOSFET的损耗参数,并基于这两种器件结构分别搭建了两种单相逆变电路.测试结果表明,工作频率为8?90 kHz时,基于Cascode GaN E-HEMT的逆变电路的转换效率为90％以上,温度维持于25.3℃?29.3 ℃范围.基于Cascode GaN E-HEMT的逆变电路的总体性能优于基于Si基MOSFET的逆变电路.
GaN E-HEMT、共源共栅、单相逆变电路、功率损耗、转换效率
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TN86(无线电设备、电信设备)
国家自然科学基金资助项目;江苏省研究生科研与实践创新计划资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
2021-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
828-834
