期刊专题

10.13911/j.cnki.1004-3365.200492

一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器

引用
针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器.采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输入噪声电压谱密度.采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽.该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大.

运算放大器、BiFET工艺、高输入阻抗、输入偏置电流/失调电流、输入电压噪声谱密度

50

TN722.7+7(基本电子电路)

2021-02-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

784-788

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

微电子学

1004-3365

50-1090/TN

50

2020,50(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn

打开万方数据APP,体验更流畅