10.13911/j.cnki.1004-3365.190488
38 nm NAND闪存可靠性评估关键问题研究
通过提取阈值电压变化,研究了温度、连续读操作和α粒子辐射三种应力因子对38 nmSLC NAND闪存产品的可靠性影响.结果 表明,温度和α粒子引起阈值电压的退化呈幂数规律,连续读操作则仅造成随机波动;低温(75℃)时,数据保持时间偏离激活能曲线的原因可能源于隧穿氧化层中的氟离子;单个存储单元晶体管级别的读噪声相比芯片整体更大.α粒子辐射可以诱发低水平的软错误几率.该研究结果为产品可靠性计划的制定和改善提供了重要依据.
NAND闪存、阈值电压分布、寿命、读噪声、软错误、产品可靠性
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TN406(微电子学、集成电路（IC）)
中国科学院科技服务网络计划STS计划资助项目KFJ-STS-SCYD-213
2020-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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