10.13911/j.cnki.1004-3365.200035
多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异.设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证.结果 表明,多晶硅/硅界面氧化层厚度一致性差、波动大是电流增益异常波动的主要原因.该研究结果为解决类似问题提供了有价值的参考.
多晶硅发射极晶体管、电流增益、界面氧化层、自然氧化层
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TN322+.8(半导体技术)
2020-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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589-592
